| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un circuit intégré constituant un réseau de diodes comportant des premières diodes Schottky dont chacune est connectée par sa cathode à un point à protéger et par son anode à une tension de référence et des deuxièmes diodes Schottky dont chacune est connectée par son anode à un point à protéger et par sa cathode à la cathode d'une diode à avalanche dont l'anode est à la tension de référence. <BR/> Ce circuit intégré comprend, dans un substrat (1) de type P, un premier (10) et un deuxième (20) groupes de caissons de type N; un contact ohmique (12, 22) et un contact Schottky (11, 21) sur chaque caisson; une région (3) de type N sur la surface supérieure du substrat; une métallisation (A) reliant les contacts ohmiques du premier groupe de caissons à la région de type N; une métallisation (C) reliant les contacts Schottky des deuxièmes caissons; des métallisations (B1-B8) reliant respectivement un contact Schottky du deuxième groupe de caissons à un contact ohmique des premiers caissons; et une métallisation (M) de face arrière.</P>
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