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发明名称
PROCESS FOR MAKING STRUCTURES INCLUDING E2PROM NONVOLATILE MEMORY CELLS WITH SELF-ALIGNED LAYERS OF SILICON AND ASSOCIATED TRANSISTORS
摘要
申请公布号
EP0255159(B1)
申请公布日期
1993.09.15
申请号
EP19870201211
申请日期
1987.06.24
申请人
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L.
发明人
MAGGIONI, FRANCO;RIVA, CARLO
分类号
H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
主权项
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