| 发明名称 | 静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 保护集成电路(IC)以抗静电放电(ESD)的装置，包括连接在该集成电路内部电源电压(V<SUB>cc</SUB>，V<SUB>ss</SUB>)两端的自触发可控硅整流器(STSCR)。该STSCR在其电流-电压特性中呈现在ESD过程期间在预定电压下被触发的快反向。当在片状电容两端积累了大的电压时，SCR(30)的预定电压在低到足以保护IC的内部结免于破坏性的反向击穿的电位下被触发。STSCR由包括布置在P衬底上的n阱的pnpn半导体结构构成。第一n<SUP>+</SUP>区域(62)和P型区域(64)都布置在n阱(60)内。该n<SUP>+</SUP>和P型区域被隔开、放电连接构成了SCR的阳极。该ESD保护装置还包括在外部和内部电源线之间的二极管箝位电路(26，27)和提供进一步保护敏感的输出缓冲器电路的分布电阻的新颖的阱电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1133105A | 申请公布日期 | 1996.10.09 |
| 申请号 | CN94193796.8 | 申请日期 | 1994.08.16 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | G·R·瓦格纳;J·史密斯;J·A·马伊斯;C·C·韦布;W·M·霍尔特 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/74;H02H7/00;H02H3/20;H02H3/22;H02H9/00;H02H9/04 | 主分类号 | H01L29/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇;邹光新 |
| 主权项 | 1.保护集成电路(IC)以抗静电放电(ESD)的装置，包括：第一二极管，其阳极与所说IC的焊盘连接，其阴极与第一电源电压连接；第二二极管，其阳极与第二电源电压连接，其阴极与所述焊盘连接；连接在所述焊盘和所述IC的输入节点之间的电阻；第三二极管，其阳极与所述输入节点连接，其阴极与所述第一电源电压连接；第四二极管，其阳极与所述第二电源电压连接，其阴极与所述输入节点连接；可控硅整流器(SCR)，其阳极与所述第一电源电压连接，其阴极与所述第二电源电压连接，所述SCR在其电流-电压特性中呈现在ESD过程期间在预定电压下被触发的快反向，当所述预定电压被超过时，所述SCR在所述第一和所述第二电源电压之间提供低电阻通路，由此保护所述IC的内部结免于破坏性的反向击穿。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||