| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING CAVITY REGION THEREIN AND FABRICATION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05167083(A) |
申请公布日期 |
1993.07.02 |
| 申请号 |
JP19910350688 |
申请日期 |
1991.12.12 |
| 申请人 |
SUMITOMO METAL MINING CO LTD |
发明人 |
YAMADA ATSUSHI |
| 分类号 |
G01L9/04;G01L9/00;H01L29/84 |
主分类号 |
G01L9/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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