| 发明名称 |
Mocvd precursors based on organometalloid ligands |
| 摘要 |
Chemical vapor deposition processes utilize as precursors volatile metal complexes with ligands containing metalloid elements silicon, germanium, tin or lead. |
| 申请公布号 |
AU5140000(A) |
申请公布日期 |
2000.12.05 |
| 申请号 |
AU20000051400 |
申请日期 |
2000.05.18 |
| 申请人 |
RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK, |
发明人 |
JOHN T WELCH;PAUL J. TOSCANO;ROLF CLAESSEN;ANDREI KORNILOV;KULBINDER K. BANGER |
| 分类号 |
C07F7/08;C07F13/00;C07F15/06 |
主分类号 |
C07F7/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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