| 主权项 |
1.一种使用于具有改良操作寿命之电致发光装置中的有机发光层,包括:a)一有机主要材料,其可同时持续电洞及电子注射及重组;及b)至少两种掺杂剂;i)第一种掺杂剂,其可接受主要材料中电子-电洞重组的能量;及ii)第二种掺杂剂,其可捕捉来自该主要材料的电洞;及c)该第一种掺杂剂系选择使该第一种掺杂剂之能带隙能量低于该主要材料的能带隙能量;且d)该第二种掺杂剂系选择使电洞捕捉能阶高于主要材料之价电子带。2.如申请专利范围第1项之有机发光层,其中该主要材料系包括三(8-羟基酚)铝。3.如申请专利范围第1项之有机发光层,其中该第一种掺杂剂系包括含有多环苯型发色单元之萤光烃化合物。4.如申请专利范围第1项之有机发光层,其中该第二种掺杂剂系包括芳族三级胺。5.如申请专利范围第4项之有机发光层,其中该芳族三级胺系为四芳基二胺。6.如申请专利范围第5项之有机发光层,其中该芳族三级胺系包括具有下式之四芳基二胺:其中Ar、Ar1.Ar2及Ar3个别选自苯基、联苯基及基部分;L系为二价伸基部分或dn;d系为伸苯基部分;n系为由1至4之整数;且当L系为dn时,Ar、Ar1.Ar2及Ar3中至少一个系为基部分。7.如申请专利范围第1项之有机发光层,其中该第一种掺杂剂之浓度系介于该有机发光层之体积的0.5百分比至25百分比范围内。8.一种使用于具有改良操作寿命之电致发光装置中的有机发光层,包括:a)一有机主要材料,其可同时持续电洞及电子注射及重组;及b)至少三种掺杂剂:i)第一种掺杂剂,其可接受主要材料中电子-电洞重组的能量;ii)第二种掺杂剂,其可捕捉来自该主要材料的电洞;及iii)第三种掺杂剂,其可接受来自主要材料中电子电洞结合之能量且接受由该第二种掺杂剂传送的能量;c)该第一种掺杂剂系选择使该第一种掺杂剂之能带隙能量低于该主要材料的能带隙能量;且d)该第二种掺杂剂系选择使电洞捕捉能阶高于主要材料之价电子带;且e)第三种掺杂剂系具有低于第一种掺杂剂之能带隙能量的能带隙能量。9.一种电致发光装置,其具有一阴极及一阳极与至少一有机发光层,该有机发光层包括:a)一有机主要材料,其可同时持续电洞及电子注射及重组;及b)至少两种掺杂剂:i)第一种掺杂剂,其可接受主要材料中电子-电洞重组的能量;及ii)第二种掺杂剂,其可捕捉来自该主要材料的电洞;及c)该第一种掺杂剂系选择使该第一种掺杂剂之能带隙能量低于该主要材料的能带隙能量;且d)该第二种掺杂剂系选择使电洞捕捉能阶高于主要材料之价电子带。10.一种电致发光装置,其具有一阴极及一阳极与至少一有机发光层,该有机发光层包括:a)一有机主要材料,其可同时持续电洞及电子注射及重组;及b)至少三种掺杂剂:i)第一种掺杂剂,其可接受主要材料中电子-电洞重组的能量;及ii)第二种掺杂剂,其可捕捉来自该主要材料的电洞;及iii)第三种掺杂剂,其可接受来自主要材料中电子电洞结合之能量且接受由该第二种掺杂剂传送的能量;及c)该第一种掺杂剂系选择使该第一种掺杂剂之能带隙能量低于该主要材料的能带隙能量;d)该第二种掺杂剂系选择使电洞捕捉能阶高于主要材料之价电子带;且e)第三种掺杂剂系具有低于第一种掺杂剂之能带隙能量的能带隙能量。图式简单说明:图1系为有机发光装置的简单结构;图2系为有机发光装置之示意图,其中发光结构系沉积于具有根据本发明制备之发射层的氧化铟锡(ITO)阳极上;图3显示发射层中Alq主要材料、激子捕捉性掺杂剂(EXD)(掺杂剂1)、电洞捕捉掺杂剂(HD)(掺杂剂2)及发光掺杂剂(LD)(掺杂剂3)的能阶图示;图4显示以经掺杂EL装置之操作时间的函数表示的相对经标准化操作亮度;图5显示以图4之EL装置的操作时间函数表示之相对驱动电压;图6显示以经掺杂EL装置之操作时间函数表示之相对经标准亮度;且图7显示以图6之EL装置的操作时间函数表示的相对驱动电压。 |
