| 摘要 |
提供一种具有含有发光特性良好的发光元件的半导体装置。此半导体装置系提供有形成在绝缘膜中的第一凹部或开口部；第一电极，该第一电极在位于第一凹部或开口部周围的绝缘膜之上、以及第一凹部或开口部内，并与第一凹部或开口部一起形成第二凹部；形成在第一电极之上并与第二凹部一起形成第三凹部的第一导电率型半导体层；形成在第一导电率型半导体层之上并与第三凹部一起形成第四凹部的发光层；形成在发光层之上并与第四凹部一起形成第五凹部的第二导电率型半导体层；以及，形成在构成第五凹部的底面及侧面的第二导电率型半导体层之上的第二电极。 |
