发明名称 金属粉末之制法
摘要 一种制作高度结晶之金属粉末之方法,包含:利用载体气体供给至少一可热分解之金属化合物粉末至于反应容器内;前于分散于气相中之金属化合物粉末浓度不大于10克/公升,在超过金属化合物粉末分散温度加热该金属化合物粉末而形成金属粉末且至少在(Tm-200℃)之温度状态下。其中金属化合物中所含金属之熔点为Tm℃。此方法提供一种高纯度,高密度,高可分散性,细致,高度结晶之金属粉末,其系由一致粒度之球形粒子组成。而适合用于厚膜糊浆中,特别是用于多层陶瓷电子件制作之导电物糊浆中。
申请公布号 TW506869 申请公布日期 2002.10.21
申请号 TW090110277 申请日期 2001.04.30
申请人 昭荣化学工业股份有限公司 发明人 秋本裕二;永岛和郎;吉田宏志;多久岛裕孝;前川雅之
分类号 B22F9/30;B22F9/22;H01B1/02 主分类号 B22F9/30
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;何秋远 台北巿敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种制作高度结晶之金属粉末之方法,包括: 用载体气体供给至少一可热分解之金属化合物粉 末至于反应容器内;和 形成金属粉末,其系藉由将金属化合物粉末以不高 于10克/公升之浓度分散于气相中于使金属化合物 粉末在温度超过金属化合物粉末之分解温度,且至 少为(Tm-200)℃之状态下,其中金属化合物中所含金 属之熔点为Tm℃。2.如申请专利范围第1项制作高 度结晶之金属粉末之方法,其中金属化合物粉末是 一种含有二或多种金属元素之金属化合物之均匀 混合粉末或复合粉末,而且金属粉末是一合金粉末 。3.如申请专利范围第1项制作高度结晶之金属粉 末之方法,其中之载体气体是一惰性气体,且金属 粉末是镍粉、铜粉、或含镍及/或铜之合金粉末。 4.如申请专利范围第1项制作高度结晶之金属粉末 之方法,其中之金属化合物粉末是以在热解于惰性 氧体时将热解中之气氛变成还原气氛者,用作金属 化合物粉末。5.如申请专利范围第4项制作高度结 晶之金属粉末之方法,其中金属化合物粉末是一羧 酸金属盐粉末。6.如申请专利范围第1项制作高度 结晶之金属粉末之方法,其中金属粉末是一钯粉末 或一含钯之合金粉末。7.一种高度结晶之金属粉 末,其系以如申请专利范围第1项之方法所制成。8. 一种含有申请专利范围第7项之高度结晶之金属粉 末之导电物糊浆。9.一种多层陶瓷电子件,其中导 电物层是用申请专利范围第8项之导电物糊浆形成 。
地址 日本