发明名称 薄膜雷射发光元件和该制造方法
摘要 本发明系可得到低廉而效率高之薄膜雷射。本发明之解决手段,系具有:薄膜雷射发光元件,系具有膜形成部4及围住此膜形部4都所设之凹凸状之绕射格子5、6、8之黑反射体3,与形成在此黑反射体3之膜形成部之薄膜雷射层10,与如挟住此薄膜雷射层10所形成之一对电极9、12,与经由这些电极9、12藉对于上述薄膜雷射层10施加电压,反射该薄膜雷射层10所产生之光之面方向之发光成分之上述绕射格子5、6、8之一部所设,释出这些绕射格子5、6、8之中反射之光之光释出部。具有形成薄膜雷射层10与电极9、12之膜形成部4,与围住此之绕射格子5、6、8之绕射格子5、6、8,系由树脂成形形成。又,薄膜雷射层10系由有机电子亮度(luminance)之膜所成。
申请公布号 TW507090 申请公布日期 2002.10.21
申请号 TW090104038 申请日期 2001.02.22
申请人 太阳诱电股份有限公司 发明人 正木裕一;村田一穗;前川晃伸
分类号 G02B6/42;H01L33/00 主分类号 G02B6/42
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种薄膜雷射发光元件,其系使用薄膜雷射层(10) ,以发光雷射光者,其特征为具有:具有膜形成部(4) 及围住此膜形成部(4)所设之凹凸状之绕射格子(5) 、(6)、(8)之黑反射体(3),与形成于此黑反射体(3)之 膜形成部(4)之薄膜雷射层(10),与如挟住此薄膜雷 射层(10)所形成之电极(9)、(12),与经由这些电极(9) 、(12)藉对于上述薄膜雷射层(10)施加电压,设于反 射在该薄膜雷射层(10)所发生之光之面方向之发光 成分之上述绕射格子(5)、(6)、(8)之一部,在这些绕 射格子(5)、(6)、(8)之中反射之光释出之光释出部 。2.如申请专利范围第1项之薄膜雷射发光元件,其 中具有:膜形成部(4),与围住此膜形成部(4)之绕射 格子(5)、(6)、(8)之黑反射体(3),为由树脂成形所形 成。3.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜雷射发 光元件,其中薄膜雷射层(10),系由有机电子发亮之 膜所成。4.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜雷 射发光元件,其中将向薄膜雷射层(10)之面方向传 播之光释出之光释出部,为由设于一部绕射格子(6) 之开缝状之开口部(7)所成。5.如申请专利范围第1 项或第2项之薄膜雷射发光元件,其中将向薄膜雷 射层(10)之面方向传播之光释出之光释出部,为将 由反射一部绕射格子(6)之光之凹凸沟条数减少之 部分所成。6.如申请专利范围第1项或第2项之薄膜 雷射发光元件,其中一对电极(9)、(12)系具有金属 光泽面,并兼做反射膜。7.一种薄膜雷射发光元件 之制造方法,其系具有薄膜雷射层(10),与挟住此薄 膜雷射层(10)之一对电极(9)、(12),经由这些电极(9) 、(12)藉对于上述薄膜雷射层(10)施加电压,以发光 雷射光者,其特征为具有:具有形成薄膜雷射层(10) 与电极(9)、(12)之膜形成部(4)及围住此膜形成部(4) 之绕射格子(5)、(6)、(8)之黑反射体(3)之工程,与在 黑反射体(3)之膜形成部(4)上形成一方之电极(9)之 工程,在此电极(9)上形成一方形成一方之电极(9)之 工程,与在此电极(9)上形成薄膜雷射层(10)之工程, 在此薄膜雷射层(10)上形成他方之电压(11)之工程 。图式简单说明: 第1图系依据本发明之一实施形态之薄膜雷射发光 元件之构成构件概念地表示之分离斜视图。 第2图系表示该薄膜雷射发光元件之侧面图。 第3图系表示该薄膜雷射发光元件之平面图。 第4图系表示该薄膜雷射发光元件之正面图。 第5图系第2图之A-A线剖面图。 第6图系第2图之B-B线剖面图。 第7图系第3图之C-C线剖面图。 第8图系本发明之其他实施形态之薄膜雷射发光元 件之平面图。 第9图系本发明之其他实施形态之薄膜雷射发光元 件之平面图。 第10图系本发明之其他实施形态之薄膜雷射发光 元件之平面图。 第11图系本发明之其他实施形态之薄膜雷射发光 元件之平面图。 第12图系本发明之其他实施形态之薄膜雷射发光 元件之平面图。 第13图系本发明之其他实施形态之薄膜雷射发光 元件之平面图。
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