| 主权项 |
1.一种具有序化结构铁铂合金膜的磁记录媒体,包 含: 一基材; 一形成于该基材上并具有序化结构的铁铂合金膜; 一夹置于该基材及该铁铂合金膜之间的中间膜; 一夹置于该基材及该中间膜之间的软磁膜;及 一夹置于该基材及该软磁膜之间且含一M的金属矽 化物膜,该M是选自于下列所构成之群组:铜、铂、 铁及此等之一组合; 其中,在该基材上依序形成一前驱物、该软磁膜、 该中间膜及一铁铂合金,最后,对该基材、该前驱 物、该软磁膜、该中间膜及该铁铂合金施予一热 处理以构成该金属矽化物膜,同时,并致使该铁铂 合金转变成该具有序化结构的铁铂合金膜。 2.依据申请专利范围第1项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该基材是由矽所制 成,且该前驱物具有一含该M之底层。 3.依据申请专利范围第2项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该M是铜。 4.依据申请专利范围第2项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该M是铂。 5.依据申请专利范围第2项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该M是铁。 6.依据申请专利范围第2项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该含该M之底层的厚 度至少为15 nm。 7.依据申请专利范围第6项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该含该M之底层的厚 度是介于15 nm至100 nm之间。 8.依据申请专利范围第1项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该基材是由玻璃或 铝镁合金所制成,且该前驱物具有一矽底层及一含 该M之底层。 9.依据申请专利范围第8项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该M是铜。 10.依据申请专利范围第8项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该矽底层的厚度至 少为15 nm,该含该M之底层的厚度至少为15 nm。 11.依据申请专利范围第10项所述之具有序化结构 铁铂合金膜的磁记录媒体,其中,该矽底层的厚度 是介于15 nm至100 nm之间,该含该M之底层的厚度是介 于15 nm至100 nm之间。 12.依据申请专利范围第1项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该热处理的温度是 介于250℃至450℃之间。 13.依据申请专利范围第12项所述之具有序化结构 铁铂合金膜的磁记录媒体,其中,该热处理的温度 是介于275℃至350℃之间。 14.依据申请专利范围第1项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该热处理的时间是 介于25分钟至300分钟之间。 15.依据申请专利范围第14项所述之具有序化结构 铁铂合金膜的磁记录媒体,其中,该热处理的时间 是介于25分钟至60分钟之间。 16.依据申请专利范围第1项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该软磁膜是由至少 一选自于下列所构成之群组的合金层所构成:钴铁 、钴铁氮、钴锆钽、铁钽碳、镍铁及镍磷。 17.依据申请专利范围第16项所述之具有序化结构 铁铂合金膜的磁记录媒体,其中,该软磁膜是由一 钴铁合金层所构成。 18.依据申请专利范围第1项所述之具有序化结构铁 铂合金膜的磁记录媒体,其中,该中间膜是由一金 属材料或一氧化物材料所制成;该金属材料是选自 于下列所构成之群组:铂、银、铜、铬、钌、钼、 锰、铝及此等之一组合;该氧化物材料是选自于下 列所构成之群组:氧化镁及氧化铝。 19.依据申请专利范围第18项所述之具有序化结构 铁铂合金膜的磁记录媒体,其中,该中间膜是由一 金属材料所制成,该金属材料是铂。 20.一种制作磁记录媒体的方法,包含下列步骤: (a)提供一基材; (b)于该基材上形成一前驱物; (c)于该前驱物上形成一软磁膜; (d)于该软磁膜上形成一中间膜; (e)于该中间膜上形成一铁铂合金; (f)最后,施予一热处理以使该前驱物形成一含一M 的金属矽化物膜,同时,并致使该铁铂合金转变成 一序化结构的铁铂合金膜,其中该M是选自于下列 所构成之群组:铜、铂、铁及此等之一组合。 21.依据申请专利范围第20项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(a)的基材是由矽所制成,且 该步骤(b)的前驱物是在该基材上形成一含该M之底 层。 22.依据申请专利范围第21项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该M是铜。 23.依据申请专利范围第21项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该M是铂。 24.依据申请专利范围第21项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该M是铁。 25.依据申请专利范围第21项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该含该M之底层的厚度至少为15 nm 。 26.依据申请专利范围第25项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该含该M之底层的厚度是介于15 nm 至100 nm之间。 27.依据申请专利范围第20项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(a)的基材是由玻璃或铝镁 合金所制成,且该步骤(b)的前驱物是在该基材上形 成一矽底层及一含该M之底层。 28.依据申请专利范围第27项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该M是铜。 29.依据申请专利范围第27项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该矽底层的厚度至少为15 nm,该含 该M之底层的厚度至少为15 nm。 30.依据申请专利范围第29项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该矽底层的厚度是介于15 nm至100 nm 之间,该含该M之底层的厚度是介15 nm至100 nm之间。 31.依据申请专利范围第20项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(f)的热处理之温度是介于 250℃至450℃之间。 32.依据申请专利范围第31项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(f)的热处理之温度是介于 275℃至350℃之间。 33.依据申请专利范围第20项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(f)的热处理之时间是介于25 分钟至300分钟之间。 34.依据申请专利范围第33项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(f)的热处理之时间是介于25 分钟至60分钟之间。 35.依据申请专利范围第20项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(c)的软磁膜是由至少一选 自于下列所构成之群组的合金层所构成:钴铁、钴 铁氮、钴锆钽、铁钽碳、镍铁及镍磷。 36.依据申请专利范围第35项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(c)的软磁膜是由一钴铁合 金层所构成。 37.依据申请专利范围第20项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(d)的中间膜是由一金属材 料或一氧化物材料所制成;该金属材料是选自于下 列所构成之群组:铂、银、铜、铬、钌、钼、锰、 铝及此等之一组合;该氧化物材料是选自于下列所 构成之群组:氧化镁及氧化铝。 38.依据申请专利范围第37项所述之制作磁记录媒 体的方法,其中,该步骤(d)的中间膜是由一金属材 料所制成,该金属材料是铂。 图式简单说明: 图1是一FePt晶体结构示意图,说明FePt晶体的非序化 结构(a),及序化结构(b); 图2是一示意图,说明本发明具有序化结构铁铂合 金膜的磁记录媒体之一较佳实施例; 图3是本发明一具体实施例一及一比较例一的Hc値 对退火温度关系图; 图4是该具体实施例一的Hc値对退火时间关系图; 图5是该具体实施例一在热处理前后及该比较例一 在热处理后之XRD比较图谱; 图6是该具体实施例一的SIMS成份纵深分布图; 图7是一参考试片之曲率与温度关系图,说明铜矽 化物形成过程中应力的改变; 图8是该具体实施例一之不同铜底层厚度变化与矫 顽磁场値的相对关系图; 图9是本发明具有序化结构铁铂合金膜的磁记录媒 体之一具体实施例二于退火前后的XRD图; 图10是一磁滞曲线比较图;及 图11是本发明具有序化结构铁铂合金膜的磁记录 媒体之一具体实施例四于退火前后的XRD图。 |
