| 发明名称 |
清洗氧化层的方法 |
| 摘要 |
明之一实施例揭露一种清洗氧化层的方法，其包括在半导体基底上形成由半导体材料所构成的磊晶层，在磊晶层上形成氧化层，且将含有氧化剂的溶液施加于氧化层上，并透过清洗液清洗氧化层。在另一实施例中，对氧化层进行致密化制程，其包括透过热能、紫外线能量或其组合对氧化层进行处理。在环绕式闸极装置的实施例中，对位于鳍式结构的磊晶部份上的氧化层进行清洗制程。本发明亦揭露其他的方法。
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| 申请公布号 |
TWI534884 |
申请公布日期 |
2016.05.21 |
| 申请号 |
TW103101927 |
申请日期 |
2014.01.20 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
吴丽岚;陈继元;刘铭棋;骆家駉;蔡腾群;林正堂;林国楹;王立廷;潘婉君;颜名良;张惠政 |
| 分类号 |
H01L21/306(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文;颜锦顺 |
| 主权项 |
一种清洗氧化层的方法，包括：在一半导体基底上形成由半导体材料所构成的一磊晶层；在该磊晶层上形成一氧化层；将含有一氧化剂的一溶液施加于该氧化层上；以及透过一清洗液清洗该氧化层。
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
