CRECIMIENTO EPITAXIAL EN FASE VAPOR DE SEMICONDUCTORES DE COMPUESTOS DEL GRUPO III-V, A BASE DE INDIO, IMPURIFICADOS CON HIERRO.

摘要

UNA REGION SEMICONDUCTORA III-V, A BASE DE INDIO, DOPADA CON HIERRO (20), SE DEPOSITA SOBRE UN SUBSTRATO (22) A PARTIR DE UN GAS PRECURSOR QUE COMPRENDE UN GAS INERTE, TAL COMO NITROGENO, UN COMPUESTO DOPANTE VOLATIL, TAL COMO FECL2, UN COMPUESTO DE INDIO VOLATIL, TAL COMO INCL Y UN HIDRURO DEL GRUPO V, TAL COMO FOSFINA. SE LIMITA LA CONCENTRACION DE HIDROGENO EN EL GAS PRECURSOR PARA EVITAR EXCESIVA PRECIPIATCION DE HIERRO. SE HA ENCONTRADO POSIBLE PRODUCIR REGIONES INP CON UNA RESISTIVIDAD EN EXCESO DE 108 OHMIOS-CM.