发明名称 |
LOW TEMPERATURE TIN-BISMUTH ELECTROPLATING SYSTEM |
摘要 |
Système de galvanoplastie d'un alliage d'étain-bismuth dont la composition est quasi-eutectique. Le système comprend le bain de galvanisation (12) et le procédé de préparation initiale du bain, ainsi que le procédé permettant de recouvrir un objet d'un alliage d'étain-bismuth. En outre, le système comprend un appareil (24) régulateur des concentrations d'étain et de bismuth dans le bain, ainsi que le procédé de régulation de ces concentrations. |
申请公布号 |
WO9307309(A1) |
申请公布日期 |
1993.04.15 |
申请号 |
WO1992US08485 |
申请日期 |
1992.10.05 |
申请人 |
UNISYS CORPORATION |
发明人 |
MURPHY, TIMOTHY, I.;REYNOLDS, BRIAN, R. |
分类号 |
C25D3/60;H05K3/24;H05K3/34 |
主分类号 |
C25D3/60 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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