发明名称 LOW TEMPERATURE TIN-BISMUTH ELECTROPLATING SYSTEM
摘要 Système de galvanoplastie d'un alliage d'étain-bismuth dont la composition est quasi-eutectique. Le système comprend le bain de galvanisation (12) et le procédé de préparation initiale du bain, ainsi que le procédé permettant de recouvrir un objet d'un alliage d'étain-bismuth. En outre, le système comprend un appareil (24) régulateur des concentrations d'étain et de bismuth dans le bain, ainsi que le procédé de régulation de ces concentrations.
申请公布号 WO9307309(A1) 申请公布日期 1993.04.15
申请号 WO1992US08485 申请日期 1992.10.05
申请人 UNISYS CORPORATION 发明人 MURPHY, TIMOTHY, I.;REYNOLDS, BRIAN, R.
分类号 C25D3/60;H05K3/24;H05K3/34 主分类号 C25D3/60
代理机构 代理人
主权项
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