| 摘要 |
Selon un procédé de fabrication d'un transistor M.O.S. positif (1) dans un substrat à dopage p (2), on produit par implantation puis par diffusion une cuve à dopage n (4), on isole le transistor (1) avec une couche d'oxyde de champ (14) et on produit la porte transistor par structuration par photolithogravure d'une couche. On utilise la laque photosensible restante à la fin de la gravure de la porte par structuration photolithographique pour masquer la zone de drain à l'extrémité du côté de la porte, afin d'obtenir au moins une implantation p-. On produit dans la couche de laque photosensible (22), au bord de la porte (11), un bord qui tombe vers la surface de la zone de drain. Ce bord tombant dévie le flanc (17, 19) du profil (16, 18) de concentration de l'implantation vers le canal situé sous la zone de porte (12) lors de l'introduction de l'implantation. |
