| 发明名称 |
DISPOSITIVO DI PROTEZIONE CONTRO LA ROTTURA DI UNA REGIONE DIFFUSA DI TIPO N+ INSERITA IN UNA STRUTTURA INTEGRATA DI POTENZA A SEMICONDUTTORE DI TIPO VERTICALE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
IT1236667(B) |
申请公布日期 |
1993.03.25 |
| 申请号 |
IT19890022289 |
申请日期 |
1989.11.07 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. |
发明人 |
PAPARO MARIO;PALARA SERGIO |
| 分类号 |
H01L29/74;H01L21/822;H01L27/02;H01L27/04;(IPC1-7):H01L |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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