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Un dispositif à semiconducteurs comprend un substrat dans lequel est produit un gaz d'électrons bidimensionnel (8), des électrodes de source et de drain sur le substrat, et une électrode de grille comprenant un ensemble d'électrodes de grille inférieures (1) et une électrode de grille supérieure (2). Lorsqu'une tension de polarisation est appliquée à l'électrode de grille, une couche de désertion dans le substrat s'étend au-dessous des électrodes de grille inférieures (1), et le gaz d'électrons bidimensionnel (8) est concentré au-dessous des régions dans lesquelles les électrodes de grille inférieures sont absentes, provoquant ainsi la formation d'un gaz d'électrons quasi-unidimensionnel. On obtient ainsi un dispositif utilisant à titre de canal le gaz d'électrons quasi-unidimensionnel, dans lequel la capacité parasite n'augmente pas.
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