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Auf ein Substrat (1) werden nacheinander eine erste Metallschicht (3) und eine Ätzresistschicht (4) aufgebracht, worauf diese Ätzresistschicht (4) mittels elektromagnetischer Strahlung, vorzugsweise mittels Laserstrahlung, in den unmittelbar an das spätere Leiterbild angrenzenden Bereichen entfernt und die dadurch freigelegte erste Metallschicht (3) weggeätzt wird. Die dem Leiterbild entsprechenden Bereiche der ersten Metallschicht (3) oder der Ätzresistschicht (4) werden dann kathodisch kontaktiert, worauf auf diese kathodisch kontaktierten Bereiche in einem galvanischen Metallabscheidungsbad eine zweite Metallschicht (8) aufgebracht wird. Gleichzeitig mit dem galvanischen Aufbau der zweiten Metallschicht (8) lösen sich in dem Metallabscheidungsbad die unerwünschten Bereiche der ersten Metallschicht (3) und gegebenenfalls der Ätzresistschicht (4) zwischen den Leiterbahnen vollständig auf. <IMAGE>
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