MANUFACTURE OF MOS SEMICONDUCTOR ELEMENT,申请号JP19910195590-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	MANUFACTURE OF MOS SEMICONDUCTOR ELEMENT
摘要
申请公布号	JPH0541485(A)	申请公布日期	1993.02.19
申请号	JP19910195590	申请日期	1991.08.06
申请人	FUJI ELECTRIC CO LTD	发明人	YAMADA OSAMU
分类号	H01L27/06;H01L21/8234	主分类号	H01L27/06
代理机构		代理人
主权项
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