| 主权项 |
1.一种气体源分子线磊晶装置,主要包括可抽成高 真空度 之真空室,装设在真空室内之中央部位之基板,从 基板之 一面施加辐射热于基板之加热装置,及从基板之另 一面供 给结晶膜形成用气体于基板之气体供给装置,其特 征为: 在基板周围设置将真空室内分隔成基板加热空间 与结晶生 长空间等两个空间之分离板,将两个空间分别抽成 真空之 真空排气装置,装设在加热装置上部与侧周部之隔 热体, 及使隔热体对基板相对地进退移动之进退装置。2 .如申请专利范围第1项之装置,其中,分离板之内侧 部 分系由碳环所构成,外侧部分系由石英环所构成。 3.如申请专利范围第2项之装置,其中,分离板之碳 部分 系接地于真空室壁面,而且在分离板之石英部分下 面装设 有碳板。4.如申请专利范围第1项之装置,其中,设 有可在成膜终 |
