| 主权项 |
1.一种供于平坦之半导体底质上划出一厚膜电路 之装置, 包含;底质支承装置,供以支承前述半导体底质于 一水平 面上;一墨什调配笔,其一端具有一流出孔:支承前 述等 于前述底质上方并与之间隔之装置;含金属墨汁之 贮存槽 ;供以从前述贮存槽移出墨廾并使被移出墨前汁经 前述流 出孔流出到前述底质上之装置,包括一泵;及驱动 装置, 供以产生前述笔与前述底质支承装置之相对移动, 其沿对 前述底质平行延伸二正交轴之一;前述笔置于前述 底质上 方一介于0.10至1.00寸间之距离。2.如申请专利范围 第1项之装置,其另包括一滤器连接于 前述笔与前述贮存槽之间,前述滤器适合移除具有 颗料尺 寸40微米或更大之颗粒。3.如申请专利范围第1项 之装置,其另包括于前述墨汁从 前述流出孔流出前将之加热之装置。4.如申请专 利范围第1项之装置,其中前述驱动装置适合 以一大小为0.5至1.0寸/秒之速度移动前述底质。5. 如申请专利范围第1项之装置,其中前述墨汁调配 笔由 陶瓷材料件成。6.如申请专利范围第1项之装置,其 中前述底质支承装置 包含一XY平移台。7.如申请专利范围第1项之装置, 其中前述底质支承装置 包含一输送器,及以一预定速度移动前述输送器之 装置。8.如申请专利范围第7项之装置,其中前述输 送器包含一 循环带。9.一种供于一平坦之半导体底质上划出 一厚膜电路之装置 ,包含:底质支承装置,供以支承前述半导体底质于 一水 平面上;多个墨汁调配笔,各于其一端具有一流出 孔;支 承前述等于前述底质上方并与之间隔之装置;于压 力下供 给含金属墨汁到前述笔之装置,从而墨汁经前述流 出孔流 出到前述底质上;及驱动装置,供以产生前述笔与 前述底 质支承装置之相对移动,其沿对前述底质平行延伸 二正交 轴之一,从而由前述各笔流出之墨汁于前述底质上 写出多 条平行线;前述各笔置于前述底质上方一介于 0.10至1.00寸间之距离。10.如申请专利范围第9项之 装置,其中前述底质支承装置 包含一带式输送器,及以一预定速度移动前述输送 器之装 置。11.如申请专利范围第10项之装置,其中前述输 送器包含 一循环带。12.一种于一底质上形成一厚膜电路之 方法,其由一具有 流出孔之调配笔将一粘性导电糊状物沈积于该底 质上,前 述方法包含以下步骤:(a)将该笔置放成使其流出孔 朝下 ;(b)将一太阳电池坯料置放成使其一表面位于一水 平面 ,后者靠近前述流出孔但间隔为大于前述厚膜电路 所要厚 度之量;(c)经前述流出孔将一粘性含金属导电墨汁 调配 到前述太阳电池坯料上;及(d)于至少一水平方向选 择性 提供前述太阳电池坯料与前述笔间之相对位移,以 使前述 墨汁以一预定电路图案沈积到前遮太阳电池坯料 上;当进 行步骤(c)与(d)时,前述笔置于前述太阳电池坯料上 方一 固定高度,前述固定高度大为超过墨汁沈积于前述 太阳电 池坯料上之厚度。13.如申请专利范围第12项之方 法,其中前述太阳电池底 质被安置于一XY平移台上,后者配置为沿正交之X与 Y水平 延伸轴移动,而又其中前述XY平移台系沿前述X与Y 轴移动 ,以使前述糊状物以一包含多条相互间隔平行线之 格栅图 案沈积于前述太阳电池坯料。14.如申请专利范围 第12项之方法,其中前述笔安置成使 其流出孔与前述太阳电池坯料垂直间隔一介于.10 至1.00 寸范围内之距离。15.如申请专利范围第12项之方 法,其中太阳电池坯料于 前述一方向之相对移动系以一介于0.5至10.0寸/秒 范围 内之速度进行。16.如申请专利范围第12项之方法, 其中前述太阳电池坯 料包含一矽底质,其具有相对之第一与第二表面, 于靠近 前述第一表面有一浅PN接合面形成,前述太阳电池 坯料放 置成前述第一表面朝向前述流出孔,而前述墨汁包 含一金 属及一玻璃料之颗粒分散于一有机载体内,且另包 含燃烧 前述坯料与沈积在前述坯料上墨汁之步骤,以使前 述沈积 墨汁于前述第一表面形成一电阻触点。17.如申请 专利范围第12项之方法,其中前述第一表面由 一绝缘材料之固体被覆所覆盖,而前述墨汁沈积到 前述固 体被覆上。18.如申请专利范围第17项之方法,其中 前述固体被覆为 氮化矽。19.如申请专利范围第18项之方法,其另包 含燃烧前述坯 料与沈绩于前述坯料上糊状物之步骤,以使前述糊 状物燃 烧穿过前述固体被覆而于前述第一表面形成一电 阻触点。20.如申请专利范围第12项之方法,其中前 述墨汁于25度C 具有于800至10,000泊范围内之粘滞性。21.如申请专 利范围第12项之方法,其中前述墨汁在20至 60度C范围内之温度下。22.一种太阳电池,包含一半 导体底质,其环电性形式为 于靠近其前方表面有一PN接合面形成,及一银格栅 触点于 前述前方表面上,其具有宽度为0.010寸或更小及高 度超 |
