| 发明名称 |
METHOD OF INCREASING BREAKDOWN VOLTAGE OF MOS TRANSISTOR WITHOUT CHANGING MANUFACTURING PROCESS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH053207(A) |
申请公布日期 |
1993.01.08 |
| 申请号 |
JP19910210246 |
申请日期 |
1991.07.26 |
| 申请人 |
ACTEL CORP |
发明人 |
ABUDERUSHIYAFUII EE ERUTOUKUFUII;GUREGORII DABURIYUU BETSUKAA;JIYON ERU MAKOORAMU |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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