| 主权项 |
1.一种从一气体混合物中选择性分离出由一氧化碳或烯类所组成族群中所选出之一气体成分的方法,该气体混合物除了含有该气体成分外亦含有至少一由二氧化碳,甲烷,氮,氢,氩,氦,乙烷及丙烷所组成族群中所选出的其他气体,该方法包含将该气体混合物与一含铜卤化物吸附剂接触,选择性地将该气体成分吸附于该吸附剂上,及选择性由该吸附剂上去吸附该气体成分而获得该气体成分,该吸附剂包含一高表面积非晶形氧化物或碳支持体及一分散亚铜化合物,其系藉于一具有二或多羧酸铵盐分散剂之水溶液溶剂中以一铜化合物含浸该支持体,移除该溶剂及将位于该支持体上之铜化合物于一含有一氧化碳、氢或其等之混合物的还原气体存在下及一不高于150℃的温度下还原成一亚铜化合物而制备。2.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该还原气体含有合成气体。3.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该铜化合物系在一不高于120℃之温度下被还原。4.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该非晶形氧化物支持体藉加热至一不高于200℃的昇高温度而被预处理,该预处理时间可长达16小时,以使得该支持体更易于接受该化合物之含浸。5.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该碳支持体藉使用一氧化剂进行氧化而被预处理,以使得该支持体更易于接受该化合物之含浸,该氧化剂为氧、空气、臭氧、氮或碳氧化物、蒸汽、硝酸、过氧化氢或其等之混合物。6.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该二及多羧酸铵盐分散剂系从柠檬酸铵盐,酒石酸铵盐,琥珀酸铵盐,苯二甲酸铵盐,己二酸铵盐,(伸乙基二胺)四乙酸铵盐,及其等之混合物所组成之族群中所选出。7.依申请专利范圉第1项所述之方法,其中该铜化合物系从铜卤化物,铜胺错合物及其等之混合物所组成之族群中所选出。8.依申请专利范围第1项所述之方法,其中该气体混合物系依一系列步骤地通过一或多个该吸附剂床,包含:于一该吸附剂床中从该气体混合物吸附该气体成分,于吸附后去吸附该吸附剂床,以该气体成分冲洗该吸附剂床,除清该吸附剂床以获得该气体成分,及藉通入一非吸附气体至该吸附剂床而再次加压该吸附剂床至吸附压力。9.一种从一气体混合物中选择性分离出由一氧化碳的方法,该气体混合物除了含有一氧化碳外亦含有至少一从二氧化碳,甲烷,氮,氢,氩,氦,乙烷及丙烷所组成之族群所选出的其他气体,该方法包含将该气体混合物与一含铜卤化物吸附剂接触,选择性地将该气体成分吸附于该吸附剂上,及选择性由该吸附剂上去吸附该气体成分而获得该气体成分,该吸附剂包含一高表面积非晶形氧化物或碳支持体及一分散亚铜化合物,其系藉于一其有二或多羧酸铵盐分散剂之水溶液溶剂中以一铜化合物含浸该支持体,移除该溶剂及将位于该支持体上之铜化合物于一含有一氧化碳之还原气体存在下及一不高于120℃之温度下还原成一亚铜卤化合物而制备。10.一种对一氧化碳或烯具选择性的复合含铜卤化物吸附剂,包含一高表面积非晶形氧化物或碳支持体及一分散亚铜卤化合物,其系藉于一水溶液溶剂及一二或多羧酸铵盐分散剂下以一铜化合物含浸该支持体,藉该分散剂而将该化合物分散于该支持体上,移除该溶剂及将该铜化合物于一含有一氧化碳、氢或其等之混合物的还原气体存在下及一不高于150℃的温度下还原成亚铜卤化合物而制备。11.依申请专利范围第10项所述之吸附剂,其中该还原气体含有合成气体。12.依申请专利范围第10项所述之吸附剂,其中该铜化合物系在一还原气体存在下及一不高于120℃之温度下被还原。13.依申请专利范围第14项所述之吸附剂,其中该非晶形氧化物支持体藉加热至一不高于200℃昇高温度而被预处理,该预处理时间可长达16小时,以使得该支持体更易于接受该化合物之含浸。14.依申请专利范围第10项所述之吸附剂,其中该碳支持体藉使用一氧化剂进行氧化而被预处理,以使得该支持体更易于接受该化合物之含浸,该氧化剂为氧、空气、臭氧、氮或碳氧化物、蒸汽、硝酸、过氧化氢或其等之混合物。15.依申请专利范围第10项所述之吸附剂,其中该二及多羧酸铵盐分散剂系从柠檬酸铵盐,酒石酸铵盐,琥珀酸铵盐,苯二甲酸铵盐,己二酸铵盐,(伸乙基二胺)四乙酸铵盐,及其等之混合物所组成之族群中所选出。16.依申请专利范围第10项所述之吸附剂,其中该铜化合物系从铜卤化物,铜胺错合物及其等之混合物所组成之族群中所选出。17.一种对一氧化碳具选择性之吸附剂,包含一复合含铜卤化物之组合物包含一高表面积非晶形氧化物或碳支持体及一分散亚铜卤化合物,其系藉于一水溶液溶剂及一二或多羧酸铵盐分散剂下以一铜化合物含浸该支持体,藉该分散剂而将该化合物分散于该支持体上,移除该溶剂及将位于该支持体上之铜化合物于一含有一氧化碳之还原气体存在下及一不高于120℃之温度下还原成一亚铜卤化合物而制备。18.一种较佳地在二氧化碳、甲烷及氮下可选择性吸附一氧化碳之吸附剂,包含一活性、复合含铜组合物包含一高表面积巨孔氧化铝支持体及一分散亚铜离子,该支持体藉于一惰性气体下加热至一昇高温度而被预处理以使得该支持体更易于接受一铜化合物之含浸,其中该组合物之制备系藉以溶于水中之铜氯化物及一柠檬酸铵盐分散剂含浸该氧化铝支持体,移除该水及将该铜氯化物与一还原气体在一不高于120℃之温度下接触而还原成一位于该氧化铝支持体上之亚铜离子。19.一种合成一复合含铜卤化物吸附剂之方法,该吸附剂具有一高表面积非晶形氧化物或碳交持体及一分散亚铜卤化合物,包含将该支持体与一含有一铜化合物及一二或多羧酸铵盐分散剂之水溶液溶剂接触,以该铜化合物含浸该支持体,藉该分散剂而将该化合物分散于该支持体上,从该支持体移除该溶剂及将该铜化合物于一含有一氧化碳、氢或其等之混合物的还原气体存在下及一不高于150℃的温度下还原成一亚铜卤化合物。20.依申请专利范围第19项所述之方法,其中该铜化合物系在一还原气体存在下及一不高于120℃之温度下被还原。21.依申请专利范围第19项所述之方法,其中该铜化合物系在一含有合成气体之还原气体存在下被还原。22.依申请专利范围第19项所述之方法,其中该非晶形氧化物支持体于该铜化合物含侵前藉加热至一不高于200℃昇高温度而被预处理,该预处理时间可长达16小时,以使得该支持体更易于接受该含浸。23.依申请专利范围第19项所述之方法,其中该碳支持体于该铜化合物含浸前藉使用一氧化剂进行氧化而被预处理,以使得该支持体更易于接受该含浸,该氧化剂为氧、空气、臭氧、氮或碳氧化物、蒸汽、硝酸、过氧化氢或其等之混合物。24.依申请专利范围第19项所述之方法,其中该二及多羧盐铵盐分散剂系从柠檬酸铵盐,洒石酸铵盐,琥珀酸铵盐,苯二甲酸铵盐,己二酸铵盐,(伸乙基二胺)四乙酸铵盐,及其等之混合物所组成之族群中所选出。25.依申请专利范围第19项所述之方法,其中该铜化合物系从铜卤化物,铜胺错合物,铜胺错合物及其等之混合物 |
