发明名称 |
METHOD FOR MANUFACTURE OF DOPED POLYCIDE LAYER ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH04263422(A) |
申请公布日期 |
1992.09.18 |
申请号 |
JP19910298146 |
申请日期 |
1991.10.18 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
UDO SHIYUWARUKE;RARUFU BURUMESUTAA |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/3215;H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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