| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING COMPOUND SEMICONDUCTOR FET OF E/D STRUCTURE WITH HIGH NOISE MARGIN AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0348944(A3) |
申请公布日期 |
1992.09.02 |
| 申请号 |
EP19890111778 |
申请日期 |
1989.06.28 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
HIDA, HIKARU C/O NEC CORPORATION |
| 分类号 |
H01L21/8252;H01L27/06;H01L27/095;(IPC1-7):H01L27/085;H01L21/82;H01L29/784 |
主分类号 |
H01L21/8252 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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