硅器件芯片背面银系溅射金属化

摘要

本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润性能和很强的附着能力。实验表明，本方法显著地改善了晶体管的电学性能，热疲劳试验达3万次，达到高可靠质量要求，溅射银系工艺成本低，便于推广。

主权项

1.一种包括硅器件芯片背面研磨、硅器件芯片清洁处理、硅、器件芯片背面溅射金属的硅器件芯片背面金属化方法，其特征在于工艺过程还包括：(1)将以下任何一组金属分层依次溅射到硅器件芯片的背面：①第一组金属为钛、镍、银，溅射的层次是第一层为钛，第二层为镍，第三层为银，②第二组金属为铬、银铜合金，溅射的层次是第一层为铬，第二层为银铜合金，③第三组金属为铬、镍、银，溅射的层次是第一层为铬，第二层为镍，第三层为银；(2)将溅射后的硅器件芯片进行用以消除溅射所造成表面损伤，增加各金属层之间的渗透及表面层的锡浸润性能的快速热退火处理，热退火采用氮气保护，退火的温度为400-500℃，退火的时间为10秒-20秒。