| 发明名称 | 一种半导体器件静电放电特性的改进方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于改善静电放电(E.S.D)特性的方法。尤其是对于改善半导体器件E.S.D特征的方法，本发明不采用E.S.D保护图形，通过使n<SUP>+</SUP>区与隔离层之间的实际空间大于n<SUP>+</SUP>区与半导体衬底间的实际空间引入纵向击穿，从而可使E.S.D特性提高到2000伏左右。 | ||
| 申请公布号 | CN1062995A | 申请公布日期 | 1992.07.22 |
| 申请号 | CN91103565.6 | 申请日期 | 1991.05.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 柳荣益;朴侍弘 |
| 分类号 | H01L23/58;H01L21/328;H01L21/322 | 主分类号 | H01L23/58 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 杨国旭 |
| 主权项 | 1、一种改善半导体器件E.S.D(静电放电)特性的方法，包括下列步骤： 第一步，在n型外延层在半导体衬底上生长前形成，隐埋层； 第二步，形成隔离层以分割n型外延层； 第三步，在n型外延层上指定区域内形成P+区； 第四步，在n型外延层指定区域上形成n+区。 | ||
| 地址 | 南朝鲜京畿道水原市 | ||