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发明名称 METHOD OF DETERMINING IMPLANTED ION DOSE AT THE SURFACE OF SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 SU1602291(A1) 申请公布日期 1992.07.15
申请号 SU19884493730 申请日期 1988.10.14
申请人 VINTSENTS S.V.,SU;MIRGORODSKIJ V.I.,SU;KHALILOV SH.S.,SU 发明人 VINTSENTS S.V.,SU;MIRGORODSKIJ V.I.,SU;KHALILOV SH.S.,SU
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人
主权项
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