罩片仅读记忆装置之制造方法

摘要

揭露高积体化NAND及 NOR逻辑罩片唯读记忆( MROM)装置的制造方法，在形成有第一多晶矽层之半导体基板的顶面上，沿依奇数或偶数排列的字元形成闸电极之图样。其次，在基板之顶面上形成次微米范围之厚度的绝缘层。而后，盖上光阻，且实施后向蚀刻过程。之后，被后向蚀刻过程所暴露的绝缘层及多晶矽层被选择蚀刻，以形成间隔相当于绝缘层之厚度的字元。因此，相邻字元间的间隔可被最小化，而且可充分确保过程之边界。