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<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer hybriden Halbleiterstruktur und eine nach dem Verfahren hergestellte hybride Halbleiterstruktur vorgeschlagen. Die zusammengesetzte hybride Halbleiterstruktur enthält ein Trägerplattensubstrat (11) mit einer Anzahl von mindestens zwei Trägeranschlußflecken (13) und ein Halbleiterchip- oder Halbleiterwafersubstrat (10) mit einer Anzahl von mindestens zwei Chipanschlußflecken (16). Die Struktur ist gekennzeichnet durch je eine thermisch und elektrisch leitende Klebeschicht (13') auf der Oberfläche des Trägerplattensubstrats (11) innerhalb der Bereiche der Trägeranschlußflecken (13), wobei die genannten Substrate (10, 11) mit den genannten Anschlußflecken (13, 16) einander gegenüberliegend und in elektrisch leitender und mechanisch fester Verbindung durch die genannten elektrisch leitenden Klebeschichten (13') miteinander in Verbindung gebracht sind.</p> |
