DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER

摘要

Laser à semi-conducteurs destiné à fournir une réaction répartie par couplage de gain sur une couche active (5) ou une couche absorbant la lumière, avec une variation périodique d'épaisseur, afin de compenser la perturbation périodique de l'indice de réfraction causée par le changement d'épaisseur de la couche active (5) ou de la couche absorbant la lumière et d'obtenir un retour réparti de lumière, principalement dû à la perturbation périodique du coefficient de gain. Le laser comporte une structure faite de la combinaison des couches (6) et (7) avec divers indices de réfraction en vue d'annuler le changement périodique de l'indice de réfraction causé par la structure striée de la couche active (5) ou de la couche absorbant la lumière.