| 摘要 |
Die optische Absorptionskante eines Halbleiters wird in einem elektrischen Feld zu kleineren Photonenenergien verschoben. Das erfindungsgemäße Verfahren nutzt diesen elektroabsorptiven Effekt, um elektrische Potentiale in Halbleiter-Bauelementen zu messen. Verwendet wird eine Lasersonde (LA), die man mit Hilfe einer Optik (L, OL) in die Ebene (FE) der signalführenden Elemente fokussiert. Da die von diesen Elementen ausgehenden elektrischen Streufelder das Absorptionsverhalten des Halbleitersubstrats lokal beeinflussen, lassen sich die entsprechenden Potentiale durch Messung der Intensität der reflektierten oder transmittierten Strahlung bestimmen. Eine große Tiefenauflösung der Messung wird durch einen konfokalen Strahlengang erreicht. <IMAGE>
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