发明名称 氧化物超导体
摘要 一种经改进后具备高临界电流密度的氧化物超导体,包括一种具有类钙钛矿晶体结构的氧化物,其结构为含有Na、K、Rb、Cs或F中的一种原子的LnBa2Cu3O7,其中Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子。
申请公布号 CN1016020B 申请公布日期 1992.03.25
申请号 CN89103433.1 申请日期 1988.01.30
申请人 株式会社日立制作所 发明人 长谷川晴弘;川辺潮;樽各良倍;深泽德海;会田敏之;高木一正
分类号 H01B12/00;C04B35/00 主分类号 H01B12/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 王以平
主权项 1.一种具有类钙钛矿结构的氧化物超导体,其结构由下式表示:(LnxBayAKz)3Cu3O7其中,Ln包括选自Y、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm和Yb中的一种原子,AK包括选自Na、K、Rb、和Cs中的一种原子,且x+y+z=1。
地址 日本东京都