发明名称 |
GENERATION APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE POTENTIAL |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH0461372(A) |
申请公布日期 |
1992.02.27 |
申请号 |
JP19900173468 |
申请日期 |
1990.06.29 |
申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
AMANO NORIAKI;SHIBAYAMA AKINORI |
分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/088 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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