| 发明名称 |
HIGH PRESSURE INERT GAS DIL. HIGH PLASMA ION DENSITY PLASMA OXIDE ETCHING PROCESS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10144663(A) |
申请公布日期 |
1998.05.29 |
| 申请号 |
JP19970288819 |
申请日期 |
1997.10.21 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS INC |
发明人 |
COLLINS KENNETH;GROECHEL DAVID;HUNG RAYMOND;RICE MICHAEL;YIN GERALD ZHEYAO;DING JIAN;CUI CHUNSHI |
| 分类号 |
H05H1/46;C23C16/517;H01J37/32;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/683;(IPC1-7):H01L21/306 |
主分类号 |
H05H1/46 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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