| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten mittels Laserimpuls-Gasphasenabscheidung (LPVD). Objekte, auf die sich die Erfindung bezieht, sind LPVD-Anlagen zur Herstellung dünner und dünnster Schichten, insbesondere auf den Gebieten der Optik, Röntgenoptik und der Mikroelektronik. Erfindungsgemäss wird bei einer Verfahrensvariante der auf die Oberfläche eines gekrümmten Targets (T) fokussierte Impulslaserstrahl (L) über einen drehbar gelagerten Planspiegel (PS) und einen Zylinderspiegel (ZS) geführt, wobei die Bewegung des Impulslaserstrahles auf der gekrümmten Oberfläche des Targets durch die Kippung des Planspiegels um eine in Strahlrichtung durch die durch seine Oberfläche aufgespannte Ebene verlaufende Achse erfolgt, und bei einer anderen Verfahrensvariante erfolgt, erfindungsgemäss eine Schwenkung des Substrates (S) synchron zur Bewegung des Impulslaserstrahles auf der gekrümmten Oberfläche des Targets.</p> |
