| 摘要 |
2.1 Es soll aufgezeigt werden, wie auf einfache Weise bei der Molekularstrahlepitaxie die Genauigkeit im Hinblick auf die zu erzielenden Schichtdicken und/oder Materialzusammensetzung verbessert und die Ausbeute in einer der Produktionsnähe genügenden Weise erhöht werden kann. 2.2 Dazu wird die den Strahldruck messende Meßeinrichtung (5) geeicht oder nachgeeicht, indem ein vorgebbares Gas genau auf einen vorbestimmten, gegenüber dem in der evakuierten Hochvakuumkammer (1) der Einrichtung herrschenden Hochvakuumdruck (Phv) höheren Druck (Pv) voreingestellt und unter Aufrechterhaltung dieses höheren Druckes durch Gasinjektion in die Hochvakuumkammer eingestrahlt wird, in der das eingestrahlte Gas auf die Meßeinrichtung (5) trifft. <IMAGE>
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