| 发明名称 |
HETEROSTRUCTURE TRANSISTOR HAVING A GERMANIUM LAYER ON GALLIUM ARSENIDE AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME USING MOLECULAR BEAM EXPITAXIAL GROWTH |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0334682(A3) |
申请公布日期 |
1991.11.27 |
| 申请号 |
EP19890303043 |
申请日期 |
1989.03.28 |
| 申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
KAWANAKA, MASAFUMI C/O NEC CORPORATION;KIMURA, TOORU C/O NEC CORPORATION;SONE, JUN'ICHI C/O NEC CORPORATION |
| 分类号 |
C30B23/08;C30B29/42;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/331;H01L29/267;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/72 |
主分类号 |
C30B23/08 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
