高抗辐照氟化钡BaF<SUB>2</SUB>闪烁晶体的生长技术

摘要

本发明给出在氧化气氛炉中生长高抗辐照氟化钡闪烁晶体的新技术。本发明的核心是防止和消除在氧化气氛下可能出现的氧化污染和水解。主要技术有：制备氧离子高度净化的高纯BaF₂原料；防止水解和氧化作用的各项技术；如何使用生长氧化物单晶的引下炉和铂坩埚于氟化物晶体等。本发明由于无需掺入Pb等有害杂质。所以制备的晶体抗辐照能力强。并且投资省、成本低，宜于大批量生产大尺寸优质BaF₂闪烁晶体。

主权项

1、一种高抗辐照氟化钡(BaF2)闪烁晶体的生长技术，其特征在于： 1.采用非真空坩锅下降法； 2.采用以下技术； (1).原料制备 A.用高纯钡盐和氢氟酸制备高纯BaF2原料，杂质含量达10-6级； B.在140℃下脱水； C.制备料锭：在氟塑料密封模具中，用静水压压制成锭； (2).铂坩锅制作与生长炉准备： A.铂金坩锅壁厚0.1--0.3mm； B.氧气氛下降法生长炉，用硅钼棒为发热元件； C.炉底有辅助加热器； (3).晶体生长： A.装料：料锭装入铂坩锅后，充入惰性气体或含氟气体，焊封坩锅， B.生长条件： 熔料：高出熔点约50℃； 温度梯度：20--30℃； 生长速率：0.8--1.6mm/小时； 降温速率：20--30℃/小时。