ETCHING METHOD FOR OBTAINING AT LEAST ONE CAVITY IN A SUBSTRATE AND SUBSTRATE OBTAINED BY SUCH METHOD

摘要

On forme des cavités à fond plat dans un substrat (2) au moyen d'un procédé comprenant deux étapes d'attaque: une première attaque anisotropique par masque (4) laissant exposées des bandes (6, 8) sur le substrat (2) et une deuxième attaque anisotropique au moyen d'un masque laissant exposées toutes les zones (Z1, Z2) à graver. La première attaque produit des rainures en forme de V (10, 12), leur profondeur (x1, x2) dépendant de la largeur des bandes, tandis que la deuxième attaque augmente la profondeur des cavités de la même quantité y, en éliminant les bandes situées entre les rainures. Avantage: on peut obtenir simultanément des cavités plates de profondeurs différentes.