用以保护由一供应电压源供电之积体电路之输入免于过电压破坏之电路配置

摘要

本发明是一 种用以保护由一供应电压源供电之积体电路(14)之输入免于过电压破坏之电路配置，其中有一个输入(26)连接到要被保护之积体电路之输入(12)。具有二个控制端子之四层二极体(T1，T2)与要被保护之输入并联连接，和有一个负回馈电阻器(R1)与该四层二极体串联连接。连接到该四层二极体(T1，T2)之一控制端子的是一个可控制电流吸收元件(T4)之控制端子，它与该四层二极体(T1，T2)并联连接。为着要施加参考电压，所以使含有二极体(T3)和位于供应电压与地线间之定电流源(S)之串联电路之接合点连接到另外一个控制端子。

主权项

1.一种用以保护由一供应电压源供电之积体电路之输入免于过电压破坏之电路配置,包含有一个输入连接至要被保护之稷体电路之输入,其特征是有一个内层二极体(T1,T2)并联连接到要被保护之输入,然后串联连接一个负回喂电阻器(在该四层二极体(T1,T2)之一控制端子连接有一个可控制电流吸收元件仔匀之控制端子,与该四层二极体(T1,T2)形成并联连接,扣二极体叮幻与位于供应电压源和地线间之定电流源(p之串联电路之接台点连接到该四层二极体(T1,T2)之另外一个控制端子,用来施加一个参考电压。之如上述申请专利范围第1项所述之电路配置,其特征是该电流吸收元件是一个电晶体(其基极连接到该四层二极体(T1,T2)之一控制端子,和其集极一射极路径连接在要被保护之输入和地线之间。2.如上述申请专利范围第2项所述之电路配置,其特征是在形成鳌流吸收元件之电晶体叮杉之射极线配置有一个电阻器其电阻値遘小于负回饿电阻器侃之电阻値。松NL述申请专利范围中之任何一项所述之电路配置,其特征是该二极体由一电晶体叮站来形成,其集极和基极一起连接到该电力供应源和其射极连接到该四层二极磴(T1,T2)之另外一个控制端子。