发明名称 |
掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备 |
摘要 |
一种掺铒掺镁铌酸锂单晶体的制备方法。本发明的方法是采用99.99%的高纯Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>、Li<SUB>2</SUB>CO<SUB>3</SUB>、MgO、Er<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>为原料制成纯化的铌酸锂晶体,再配入0.2~5mol%的Er<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>及0~3mol%的MgO,放入铂坩埚中,在具有等径自动控制的单晶炉中经二次提拉制成本发明的晶体。该晶体具有光致折射率变化效应非常小可忽略。该材料制成波导激光器发射的激光波长为1.51~1.60μm,与光纤通讯所用波长符合,可用于光纤通讯的振荡器和放大器等。 |
申请公布号 |
CN1052516A |
申请公布日期 |
1991.06.26 |
申请号 |
CN91100010.0 |
申请日期 |
1991.01.03 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
李宝凌;李文润;万良风 |
分类号 |
C30B29/30;C30B15/00;C30B15/04 |
主分类号 |
C30B29/30 |
代理机构 |
天津大学专利代理事务所 |
代理人 |
曲远方 |
主权项 |
1、一种制备铌酸锂单晶体的方法,将Nb2O5和Li2CO3按化学配比Li/Nb=1∶1和按同成分配比Li/Nb=48.6∶51.4称量配料,充分混合,本发明的特征是:混合均匀的配料在1150℃下预烧4小时,然后装入铂坩埚中,经一次提拉成铌酸锂单晶,将该铌酸锂单晶体经1150℃/5小时退火后,截去底部含较多不纯物的部分,余下再加入Er2O3及MgO放入坩埚,置于有等径自动控制的单晶炉中经二次提拉制成Er∶MgO∶LiNbO3单晶体。 |
地址 |
300072天津市南开区七里台天津大学 |