| 摘要 |
Une couche de silicate, servant notamment de couche isolante intermédiaire d'oxyde dans un circuit intégré pour la compensation d'inégalités topographiques, est fabriquée selon un procédé comportant les étapes suivantes: polymérisation photo-induite de polysiloxanne par réaction en phase gazeuse, à partir d'un composé organique à teneur en SiO ou en SiC, conjointement avec un gaz à teneur en O2 et/ou en N2O, à une première température et une première pression, dans une enceinte réactionnelle; condensation du polysiloxane en vue d'obtenir une couche de polysiloxane sur une structure, notamment sur les structures du circuit intégré, dans une enceinte de condensation séparée de l'enceinte réactionnelle, à une second température, inférieure à la première température, et qui est au moins à une valeur telle que le composé organique à teneur en SiO ou en SiC ne se condense plus sous une seconde pression prédéterminée, dans l'enceinte de condensation, mais qui est toutefois supérieure à la température à laquelle le polysiloxane se condense sous la seconde pression; et transformation de la couche de polysiloxane en couche de silicate. |
