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Procédés de fabrication de bords fortement dopés des structures mesa dans des dispositifs semi-conducteurs silicium sur saphir (SOS) et silicium sur isolateur (SOI). Lesdits procédés, qui sont basés sur l'auto-alignement, exigent un nombre minimum d'étapes de masquage pour leur réalisation, et servent à réduire les fuites aux bords ainsi qu'à résoudre les problèmes de non-stabilité de la tension au seuil du canal N. On crée des structures mesa qui comprennent des roues de canal N et de canal P sur lesquelles on a déposé une couche d'oxyde thermique. Une couche de dopage de verre de borosilicate, ou une couche d'oxyde non dopée, implantée ultérieurement, est déposée sur les structures mesa. Lors du premier procédé, la couche de dopage est décapée par un processus de décapage à plasma anisotropique de manière à créer des espacements d'oxyde aux bords des structures mesa. On retire la couche de dopage des structures mesa N à l'aide d'un masque canal N et d'un processus de décapage à l'oxyde humide. On chauffe la structure ensuite à une température relativement élevée afin de conduire le dopant aux bords des structures mesa du canal N. Les couches de protection sont retirées par un processus de décapage humide. La fabrication du semi-conducteur est ensuite accomplie de manière courante. Lors du deuxième procédé, on dépose une couche d'azoture sur les structures mesa et la couche d'oxyde thermique. Une couche mince d'oxyde, déposée normalement par un procédé de dépôt de vapeurs chimiques, est déposée sur la couche de nitrure de silicium. La structure ainsi obtenue est alors traîtée de manière à exposer les structures mesa du canal N. A l'aide d'un masque de puits N, on décape la couche d'oxyde de sorte que l'on expose la couche de nitrure de silicium sur le canal N, et on retire la couche de nitrure qui revêtit le canal N au moyen d'acide phosphorique chaud, la couche d'oxyde servant de masque. La couche de dopage est ensuite déposée sur les structures mesa, et chauffée afin d'entraîner le dopant matériel |
