| 发明名称 |
Polycrystalline CVD diamond substrate for single crystal epitaxial growth of semiconductors |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4981818(A) |
申请公布日期 |
1991.01.01 |
| 申请号 |
US19900479486 |
申请日期 |
1990.02.13 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC COMPANY |
发明人 |
ANTHONY, THOMAS R.;FLEISCHER, JAMES F. |
| 分类号 |
C30B29/04;C23C16/02;C23C16/26;C23C16/27;H01L21/20;H01L21/205;H01L23/373 |
主分类号 |
C30B29/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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