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发明名称 Method of forming a mask pattern for the production of transistor
摘要
申请公布号 US4981809(A) 申请公布日期 1991.01.01
申请号 US19880230367 申请日期 1988.08.10
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 发明人 MITSUAKI, FUJIHIRA;NISHIGUCHI, MASANORI
分类号 H01L21/027;H01L21/285;H01L21/3105;H01L21/338;H01L29/812 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
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