| 发明名称 |
Process for producing a semiconductor device having a silicon oxynitride insulative film |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4980307(A) |
申请公布日期 |
1990.12.25 |
| 申请号 |
US19890401489 |
申请日期 |
1989.08.30 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
ITO, TAKASHI;NOZAKI, TAKAO |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/314;H01L21/318;H01L21/8242;H01L27/108;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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