一种三维磁矢敏感器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种MOS型硅半导体三维磁矢敏感器及其制造方法，属于微电子学和半导体集成传感器领域。该敏感器有温度稳定性好、工作电压范围宽、输入阻抗高、灵敏度高等优点，且能与其他MOS或双极型器件集成于同一芯片，制成带信号处理电路的高性能敏感器，适于在自动监控、电子测量和磁场空间分布探测等方面作磁敏探头。

主权项

1、一种三维磁矢敏感器，其特征是，在材料为高阻P型(100)硅单晶抛光片的衬底12上集成有一个能探测垂直于芯片表面的磁矢分量_Z的横向双扩散LDMOS管和两个能探测平行于芯片表面的磁矢分量_X、_Y的纵向双扩散VDMOS管，这些管的源区和薄栅氧层11是公共的，LDMOS管采用一对(D_Z、D_Z′)或两对(D_Z1、D_Z1′和D_Z2、D_Z2′)双漏极结构。