| 摘要 |
Procédé de fabrication de dispositifs MOS comportant des régions de la source et du drain à transition progressive. Les régions de la source et du drain sont légèrement dopées par implantation d'ions, puis soumises à un cyclage thermique ayant pour objet de diffuser les impuretés implantées. Les régions de la source et du drain sont ensuite fortement dopées pour former des régions de la source et du drain comportant une sous-région fortement dopée et une sous-région faiblement dopée. Les dispositifs réalisés au moyen de ce procédé, auxquels il est possible de donner des dimensions inférieures à un demi-micron, ne sont pas sujets à une charge de l'oxyde de grille et se caractérisent par des tensions de "snapback" élevées. |
