FULLY RECESSED INTERCONNECTION SCHEME WITH TITANIUM-TUNGSTEN AND SELECTIVE CVD TUNGSTEN

摘要

Un procédé servant à fabriquer des couches d'interconnexion métalliques d'ordre supérieur dans un dispositif semiconducteur métallique à plusieurs niveaux. Le dispositif semiconducteur a au moins une couche métallique, une couche d'oxyde disposée sur la couche métallique, et un tampon métallique disposé dans la couche d'oxyde reliée à la couche métallique. Un masque photorésistant en sens inverse est formé sur la couche d'oxyde qui est gravée afin d'y former des tranchées qui définissent la couche métallique d'ordre supérieur. Une couche d'adhérence comportant du titane-tungstène ou de l'aluminium est déposée sur le masque photorésistant en contact avec le tampon métallique. Une couche photorésistante à faible viscosité est ensuite déposée sur la couche d'adhérence. La couche d'adhérence et la couche photorésistante à faible viscosité sont ensuite gravées en anisotropie et la couche photorésistante à faible viscosité est ensuite enlevée afin d'exposer la couche d'adhérence. Enfin, un métal sélectif, tel que le tungstène ou le molybdène, par exemple, est déposé sur la couche d'adhérance dans la tranchée afin de former la couche d'interconnexion métallique d'ordre supérieur. Des niveaux métalliques ultérieurs peuvent être fabriqués en répétant le procédé en commençant par le dépôt de l'oxyde sur les lignes métalliques d'ordre supérieur formées et la formation des tampons métalliques dans la couche d'oxyde.