| 发明名称 |
Process for forming self-aligned, metal-semiconductor contacts in integrated MISFET structures |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4966867(A) |
申请公布日期 |
1990.10.30 |
| 申请号 |
US19890424446 |
申请日期 |
1989.10.20 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRICS S.R.L. |
发明人 |
CROTTI, PIER L.;IAZZI, NADIA |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/60;H01L21/768;H01L29/417;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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